9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMT10H015LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMT10H015LSS-13参考价格为1.17000美元。Diodes Incorporated DMT10H015LSS-13封装/规格：MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO。您可以下载DMT10H015LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMT10H015LPS-13是MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W，包括DMT10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.003386盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PowerDI，以及PowerDI5060-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有1.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为44 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19.7nS，典型接通延迟时间为6.5nS，Qg栅极电荷为33.3nC，沟道模式为增强。
DMT10H015LFG-13，带用户指南，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在10 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供单位重量功能，如0.002540 oz，典型开启延迟时间设计为6.5 ns，以及19.7 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以PowerDI商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为DMT10，上升时间为7ns，漏极-源极电阻Rds为13.5mOhm，Qg栅极电荷为33.3nC，Pd功耗为2W，封装为Reel，封装盒为PowerDI-3333，沟道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为42 A，下降时间为8.1 ns，通道模式为增强型。
DMT10H015LFG-7是MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W，包括增强信道模式，它们设计为在8.1 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于42 a的Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为PowerDI-3333，器件采用卷筒封装，器件具有2 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为33.3 nC，漏极-源极电阻Rds为13.5 mOhms，上升时间为7 ns，系列为DMT10，技术为Si，商品名为PowerDI，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，典型关断延迟时间为19.7ns，典型接通延迟时间为6.5ns，单位重量为0.002540 oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅-源极电压为10V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V。
