NTBGS4D1N15MC

规格参数

• 长（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 8V, 10V
• 漏源电压标 (Vdss) 150伏
• 供应商设备包装 D2PAK (TO-263)
• 包装/外壳 到263-7，DPak（6条引线+标签）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 20A（Ta）、185A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 104A, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 574A
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 88.9 nC @ 10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7285 pF @ 75 V
• 最大功耗 3.7W (Ta), 316W (Tc)
• 色彩/颜色 -