STB11NM60T4

规格参数

• 长（英寸） -
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Tc）
• 供应商设备包装 D2PAK
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
• 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
• 部件状态 不适用于新设计
• 漏源电压标 (Vdss) 650 V
• 最大功耗 160W（Tc）
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF @ 25 V
• 导通电阻 Rds(ON) 450毫欧姆 @ 5.5A, 10V
• 色彩/颜色 -