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BSC030N04NSG是MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8,包括OptiMOS?系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用,包装箱如数据表注释所示,用于8-PowerTDFN,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于表面安装,以及PG-TDSON-8供应商设备包,该设备也可以用作MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型。此外,最大功率为83W,该器件提供40V漏极到源极电压Vdss,该器件具有4900pF@20V的输入电容Cis Vds,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为23A(Ta),100A(Tc),Rds On Max Id Vgs为3mOhm@50A,10V,Vgs th Max Id为4V@49μa,栅极电荷Qg Vgs为61nC@10V。
BSC030N04NSGXT带有用户指南,包括40 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作,晶体管极性显示在数据表注释中,用于N沟道,提供Si、Rds等技术特性,漏极-漏极电阻设计为工作在3 mOhms,以及83 W Pd功耗,该设备也可以用作BSC030N04NS BSC030N04 NSGATMA1 G SP000354811部件别名。此外,包装为卷轴式,该器件采用TSON-8封装盒,该器件具有1个通道数,安装方式为SMD/SMT,Id连续漏电流为100A。
BSC030N08NS5,带有INFINEON制造的电路图。BSC030N08NS5采用PG-TDSON封装,是IC芯片的一部分。