9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16413Q5A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16413Q5A参考价格为1.55000美元。德州仪器CSD16413Q5A封装/规格:MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON。您可以下载CSD16413Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如CSD16413Q5A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
CSD16412Q5A是MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON,包括CSD16412Q 5A系列,它们设计用于卷盘封装,安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供NexFET等商标功能,封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件具有3 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为3.3 ns,上升时间为7.1 ns,Vgs栅极-源极电压为16 V,Id连续漏极电流为14 a,Vds漏极-源极击穿电压为25V,Vgs栅极-源极阈值电压为2V,Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为5.7ns,典型接通延迟时间为5.5ns,Qg栅极电荷为2.9nC,正向跨导最小值为33S,沟道模式为增强。
CSD16413带有TI制造的用户指南。CSD16413采用QFN封装,是FET的一部分-单个。
CSD16413Q5,电路图由TI/BB制造。CSD16413Q5在QFN8封装中提供,是FET的一部分-单个。