9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD13202Q2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD13202第二季度参考价格0.61000美元。德州仪器CSD13202Q2封装/规格：MOSFET N-CH 12V 22A 6WSON。您可以下载CSD13202Q2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD13201W10是MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计用于4-UFBGA、DSBGA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的4-DSBGA（1x1），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为12V，输入电容Cis-Vds为462pF@6V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为1.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为34mOhm@1A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@4.5V，Pd功耗为1.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.7 ns，上升时间为5.9ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为1.6A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs第栅极-源阈值电压为800mV，Rds导通漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为14.4ns，典型导通延迟时间为3.9ns，Qg栅极电荷为2.3nC，正向跨导Min为23S，信道模式为增强。
CSD1306E，带有CDIL制造的用户指南。CSD1306E采用SOT-23SC-59封装，是IC芯片的一部分。
CSD1306E（06），电路图由CDIL制造。CSD1306E（06）采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
