9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ1431EH-T1_GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ1431EH-T1_GE3参考价格0.63000美元。Vishay Siliconix SQ1431EH-T1_GE3封装/规格:MOSFET P-CH 30V 3A SC70-6。您可以下载SQ1431EH-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ1420EEH-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6,包括SQ系列系列,它们设计用于卷筒包装,数据表注释中显示了用于SQ1420EEH-GE3的零件别名,该产品提供单位重量功能,如0.000988盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TrenchFET商标,该设备也可以用作SC-70-6封装盒。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为3.3 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为7 ns,上升时间为21 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为1.6A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极源极导通电阻为140mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为8nS,Qg栅极电荷为2.7nC。
SQ124C-L带有SQ制造的用户指南。SQ124C-R采用QFP封装,是IC芯片的一部分。
SQ12-5S1000,带有TDK制造的电路图。SQ12-5S1000在模块包中提供,是模块的一部分。