9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ2315ES-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ2315ES-T1_GE3参考价格0.63000美元。Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3。您可以下载SQ2315ES-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ2310ES-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-236，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为2W，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为485pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为30mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.5nC@4.5V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs栅-源极阈值电压为0.6 V，Rds漏极源极电阻为30 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为4.5nC，正向跨导Min为27S。
带有用户指南的SQ2315ES-T1_GE3，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P通道，提供TrenchFET等商标特性，技术设计为在Si以及SQ系列中工作，该器件也可以用作90m欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为2 W，该设备采用卷筒包装，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为-5 A。
SQ2309ES-T1-GE3，带有VIS制造的电路图。SQ2309ES-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
