9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5459DU-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5459DU-T1-GE3参考价格为0.64000美元。Vishay Siliconix SI5459DU-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A PPAK。您可以下载SI5459DU-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SI5459DU-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5457DC-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 6A CHIPFET，包括卷轴封装，它们设计用于SI5457DCGE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002998盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于CHIPFET-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有5.7 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为-6 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.4V，Rds导通漏极-漏极电阻为46mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为25nC，正向跨导最小值为16S。
SI5449DC-T1，带有KEXIN制造的用户指南。SI5449DC-T1采用CHIP8L封装，是FET的一部分-单体。
SI5449DC-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8。SI5449DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单，支持MOSFET P-CH 30V 3.1A 1206-8、P沟道30V 3.1B（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.1A 8引脚片式FET T/R。
SI54-4R7PF，带有CARIS制造的EDA/CAD模型。SI54-4R7PF采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
