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CSD16570Q5B

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、195W(Tc) 供应商设备包装: 8-VSON-CLIP (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 德州仪器 (Texas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 17.67267 17.67267
10+ 15.89816 158.98166
100+ 12.77864 1277.86480
500+ 10.49872 5249.36400
1000+ 9.54433 9544.33100
2500+ 9.54433 23860.82750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥17.67268
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17.67
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 德州仪器 (Texas)
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 100A(Ta)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.9V@250A.
  • 供应商设备包装 8-VSON-CLIP (5x6)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 250 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.59欧姆@50A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14000 pF@12 V
  • 最大功耗 3.2W(Ta)、195W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

CSD16570Q5B 产品详情

1特点
•电阻极低
•低Qg和Qgd
•低热阻
•雪崩等级
•无铅端子电镀
•符合RoHS
•无卤素
•SON 5-mm×6-mm塑料包装
2应用程序
•ORing和热交换应用

3说明
此25 V,0.49 mΩ,SON 5×6 mm NexFET™ 功率MOSFET被设计为最小化ORing和热交换应用的电阻,而不是设计用于开关应用。


(图片:引线/示意图)

CSD16570Q5B所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CSD16570Q5B 由 德州仪器 (Texas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CSD16570Q5B价格参考¥17.672676,你可以下载 CSD16570Q5B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CSD16570Q5B规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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