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NTE4153NT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 915毫安(Ta) 最大功耗: 300mW (Tj) 供应商设备包装: SC-89-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.62145 3.62145
10+ 2.67987 26.79873
100+ 1.51956 151.95600
500+ 1.00618 503.09200
1000+ 0.77144 771.44100
3000+ 0.67083 2012.51100
6000+ 0.60376 3622.60800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.62145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.62
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.5伏、4.5伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 230VOhm@600毫安,4.5V
  • 包装/外壳 SC-89,SOT-490
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 915毫安(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.82 nC@4.5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 110 pF@16 V
  • 最大功耗 300mW (Tj)
  • 供应商设备包装 SC-89-3
  • 色彩/颜色 -

NTE4153NT1G 产品详情

带ESD保护的小信号MOSFET 20V 915mA 230 mOhm单N通道SC-89

特色

  • 低RDS(开启)提高系统效率
  • 低阈值电压,额定1.5V
  • ESD保护门

应用

  • 负载/电源开关
  • 电源转换器电路
  • 电池管理
  • 便携式设备,如手机、PDA、数码相机、寻呼机等。


(图片:引出线)

NTE4153NT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTE4153NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTE4153NT1G价格参考¥3.621450,你可以下载 NTE4153NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTE4153NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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