9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP1N105K3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP1N105K3参考价格为1.56000美元。STMicroelectronics STP1N105K3封装/规格:MOSFET N-CH 1050V 1.4A TO220。您可以下载STP1N105K3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP19NM50N是MOSFET N-Ch 500V 14A MOSFET Mdmesh II电源,包括N沟道Mdmesh系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.011640盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装外壳设计用于to-220-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供110 W Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,下降时间为17 ns,上升时间为16 ns,Vgs栅极-源极电压为+/-25 V,Id连续漏极电流为14 A,Vds漏极-源极击穿电压为500 V,Vgs第h栅极-源极端电压为3 V,Rds漏极-源极电阻为250m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为17ns,典型接通延迟时间为12ns,Qg栅极电荷为34nC。
STP19NF20R和ST制造的用户指南是IC芯片的一部分。
STP19NM65N是由ST制造的MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220。STP19NM65N以TO-220-3封装形式提供,是IC芯片的一部分,并支持MOSFET N-CH650V 15.5A-TO-220、N沟道650V 15.5V(Tc)150W(Tc)通孔TO-220AB。