9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7880ADP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7880ADP-T1-E3参考价格$4.34000。Vishay Siliconix SI7880ADP-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8。您可以下载SI7880ADP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7872DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8，包括LITTLE FOOTR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SI7872DP-E3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及LITTLE Foot Plus商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8双封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为2通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.4A，最大Id Vgs的Rds为22mOhm@7.5A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V 12 V，Id连续漏极电流为6.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为22毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19 ns 40 ns，典型开启延迟时间为9ns，信道模式为增强。
SI7872DP-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V 12 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8 Dual，该设备为LITTLE FOOTR系列，该设备具有22 mOhm@7.5A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为22 mOhms，最大功率为1.4W，Pd功耗为1.4 W，零件别名为SI7872DP-GE3，包装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为6.4 A，栅极电荷Qg Vgs为11nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id为25°C，为6.4A，配置为双路。
SI7880ADP，带有SI制造的电路图。SI7880ADPQFN-8封装，是FET的一部分-单个。
