这个DirectFET®功率封装是一种表面贴装功率MOSFET封装技术。DirectFET®MOSFET是一种解决方案，可在减少高级开关应用中的设计占地面积的同时减少能量损失。
行业在各自领域的阻力最低
极低的封装电阻可将传导损耗降至最低
高效的双面冷却显著提高了功率密度、成本和可靠性
仅0.7mm的薄型
IRF7779L2TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 67A (Tc) 最大功耗: 3.3W（Ta）、125W（Tc） 供应商设备包装: DirectFET等距L8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 53.88717 | 53.88717 |
| 10+ | 48.38257 | 483.82572 |
| 100+ | 39.64401 | 3964.40130 |
| 500+ | 33.88373 | 16941.86750 |
| 4000+ | 33.88373 | 135534.94000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥46.86156
-
数量:
- +
- 总计: ¥53.89
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 67A (Tc)
- 最大功耗 3.3W（Ta）、125W（Tc）
- 包装/外壳 DirectFET等距L8
- 供应商设备包装 DirectFET等距L8
- 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@40A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6660 pF @ 25 V
IRF7779L2TRPBF 产品详情
DirectFET®功率MOSFET，Infineon
IRF7779L2TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRF7779L2TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRF7779L2TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRF7779L2TRPBF价格参考￥46.861563，你可以下载 IRF7779L2TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRF7779L2TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
