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SI5435BDC-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8。SI5435BDC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8、P沟道30V 4.3B（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8引脚片式FET T/R。
SI5435BDC-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8。SI5435BDC-T1-GE3采用8-SMD扁平引线封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8、P沟道30V 4.3B（Ta）1.3W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？、？，Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 8引脚片式FET T/R。
SI5435DC-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚片式FET T/R。SI5435DC-T1采用1206-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚芯片FET T/R。
SI5435DC-T1-E3是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚片式FET T/R。SI5435DC-T1-E3采用MLP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 4.1A 8引脚FET T/R。
