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IRF6648TRPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMN 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 15.89164 15.89164
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  • 单价: ¥15.89165
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    - +
  • 总计: ¥15.89
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 50 nC @ 10 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.9V @ 150A
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 86A (Tc)
  • 最大功耗 2.8W(Ta)、89W(Tc)
  • 供应商设备包装 DIRECTFETMN
  • 包装/外壳 DirectFET等距MN
  • 导通电阻 Rds(ON) 7毫欧姆 @ 17A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2120 pF@25 V
  • 色彩/颜色 -

IRF6648TRPBF 产品详情

DirectFET®功率MOSFET,Infineon

这个DirectFET®功率封装是一种表面贴装功率MOSFET封装技术。DirectFET®MOSFET是一种解决方案,可在减少高级开关应用中的设计占地面积的同时减少能量损失。

行业在各自领域的阻力最低
极低的封装电阻可将传导损耗降至最低
高效的双面冷却显著提高了功率密度、成本和可靠性
仅0.7mm的薄型

IRF6648TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6648TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6648TRPBF价格参考¥15.891647,你可以下载 IRF6648TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6648TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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