FDD86113LZ

规格参数

• 长（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
• 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 10 V
• 供应商设备包装 TO-252AA
• 最大功耗 3.1W（Ta）、29W（Tc）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4.2A (Ta), 5.5A (Tc)
• 导通电阻 Rds(ON) 104毫欧姆@4.2A，10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 285 pF@50 V