IMBF170R1K0M1XTMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1700伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-13 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 47.29613 | 47.29613 |
10+ | 42.45063 | 424.50637 |
100+ | 34.78330 | 3478.33030 |
500+ | 29.72920 | 14864.60350 |
1000+ | 29.72920 | 29729.20700 |
- 库存: 0
- 单价: ¥47.29614
-
数量:
- +
- 总计: ¥47.30
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 技术 SiCFET(碳化硅)
- 包装/外壳 到263-8,DPak(7引线+接线片),TO-263CA
- 漏源电压标 (Vdss) 1700伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-10伏
- 最大功耗 68W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.2A (Tc)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 12伏、15伏
- 供应商设备包装 PG-TO263-7-13
- 导通电阻 Rds(ON) 1000欧姆@1A,15V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.7V @ 1.1毫安
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5 nC @ 12 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 275 pF@1000 V
- 色彩/颜色 -
IMBF170R1K0M1XTMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IMBF170R1K0M1XTMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IMBF170R1K0M1XTMA1价格参考¥47.296137,你可以下载 IMBF170R1K0M1XTMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IMBF170R1K0M1XTMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。