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FDC642P

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 2.09826 2.09826
59+ 1.98672 117.21689
100+ 1.87591 187.59110
  • 库存: 45
  • 单价: ¥2.09827
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2.10
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Ta)
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 16 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 4A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 925 pF@10 V
  • 色彩/颜色 -

FDC642P 产品详情

汽车P沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor通过全面掌握质量、安全和可靠性标准,提供解决汽车市场复杂挑战的解决方案。

特色

  • VGS=-4.5 V,ID=-4.0A时,最大rDS(ON)=65mΩ
  • VGS=-2.5 V,ID=-3.2A时,最大rDS(ON)=100mΩ
  • 切换速度快。
  • 低栅极电荷(典型11nC)。
  • 用于极低rDS(ON)的高性能沟槽技术。
  • 超级SOT™-6封装:占地面积小(比标准SO-8小72%);薄型(1mm厚)
  • 终端为无铅且符合RoHS

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC642P所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC642P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC642P价格参考¥2.098268,你可以下载 FDC642P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC642P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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