9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD886569-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDD886569-F085参考价格为1.35000美元。onsemi FDD8569-F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 90A DPAK。您可以下载FDD886569-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD8647L是MOSFET N-CH 40V 14A DPAK，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计为在to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件包的D-Pak，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1640pF@220V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为14A（Ta）、42A（Tc），最大Id Vgs为9 mOhm@13A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为28nC@10V，Pd功耗为3.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型导通延迟时间为8ns，沟道模式为增强型。
FDD86540是MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3，包括4V@250μA Vgs th Max Id，设计用于60 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.009184盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道以及Si技术，该设备也可以用作TO-252（D-Pak）供应商设备包。此外，该系列为PowerTrenchR，该器件提供4.1 mOhm@21.5A，10V Rds On Max Id Vgs，该器件具有5 mOhm Rds On Drain Source电阻，功率最大值为3.1W，Pd功耗为127 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-252-3，DPak（2引线+标签），SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为6340pF@30V，Id连续漏电流为21.5 A，栅极电荷Qg Vgs为90nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为21.5A（Ta），50A（Tc），配置为单一。
FDD886567_F085带有电路图，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置运行，数据表注释中显示了13 ns的下降时间，提供了100 a等Id连续漏电流功能，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一卷封装，Pd功耗为227 W，Qg栅极电荷为63 nC，Rds漏极-源极电阻为6 mOhm，上升时间为45 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为32ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为+/-20V，Vgs栅-源极阈值电压为2V。
