9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR846DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR846DP-T1-GE3参考价格为2.63000美元。Vishay Siliconix SIR846DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR846DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SiR846DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于SiR846DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装外壳，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为104 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为60A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为36ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为47.5nC，正向跨导Min为56S。
SIR844DP-T1-GE3是MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm@10V，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870 oz，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件以SIRxxxDP系列提供，该器件具有21纳秒的上升时间，漏极-源极电阻Rds为2.8毫欧，Pd功耗为5 W，零件别名为SIR844DP-GE3，包装为卷筒，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为30 A，下降时间为18 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强型。
SIR846ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8，包括单一配置，它们设计为在60 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作SO-8包装箱。此外，封装为Reel，该器件以SIR846ADP-GE3部件别名提供，该器件具有83 W的Pd功耗，Qg栅极电荷为26.7 nC，漏极-源极电阻Rds为7.8 mOhm，系列为SIRxxxADP，技术为Si，商品名为ThunderFET TrenchFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.017870盎司，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V。
SIR840DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8。SIR840DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8、N沟道30V表面安装PowerPAK？所以-8。
