9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4864DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4864DY-T1-GE3参考价格4.43000美元。Vishay Siliconix SI4864DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 17A 8SO。您可以下载SI4864DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4862DY-T1-E3是MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计为与SI4862DY_T1部件别名一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为38纳秒，Vgs栅源电压为8 V，Id连续漏极电流为17A，Vds漏极-源极击穿电压为16V，Rds导通漏极-电源电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为120ns，典型接通延迟时间为42ns，沟道模式为增强。
SI4864DY-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如40纳秒，典型的关闭延迟时间设计为150纳秒，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，器件的上升时间为44 ns，漏极电阻Rds为3.5 mOhms，Pd功耗为1.6 W，零件别名为SI4864DY-T1，包装为卷轴式，包装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为17 A，下降时间为44 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI4864DY-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8引脚SOIC N T/R。SI4864DY-T1在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8引脚SOIC N T/R。
SI4864DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4864DY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
