TPN1110ENH,L1Q

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 8-PowerVDFN
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 漏源电压标 (Vdss) 200伏
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta)
• 制造厂商 东芝 (Toshiba)
• 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 10 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 200A
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 100 V
• 导通电阻 Rds(ON) 114毫欧姆@3.6A，10V
• 最大功耗 700mW (Ta), 39W (Tc)
• 色彩/颜色 -