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SQ9945BEY-T1-E3是MOSFET 2N-CH 60V 5.4A，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该器件采用表面安装安装型，该器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双，FET类型为2 N沟道（双），功率最大值为4W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为470pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.4A，最大Id Vgs上的Rds为64mOhm@3.4A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为12nC@10V，Pd功耗为4W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为1.7 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为64 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17nS，Qg栅极电荷为8nC。
SQ9945BEY-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 60V 5.4A 8SOIC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的关断延迟时间特性，如17纳秒，晶体管类型设计为在2 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件以SQ系列系列提供，该器件具有2.8 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为64 mOhms，Qg栅极电荷为8 nC，Pd功耗为4 W，零件别名为SQ9945BEY-GE3，封装为卷轴，封装外壳为SO-8，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为5.4 A，下降时间为1.7 ns，配置为双重。
SQA000002带电路图，包括最大40mA电流供应，它们设计为以100MHz频率运行，数据表注释中显示了在±50ppm范围内使用的频率稳定性，提供了启用/禁用、，高度设计为在0.053英寸（1.35mm）和表面安装型中工作，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，输出为HCSL，设备采用6-SMD、无引线（DFN、LCC）封装盒，设备具有散装封装，系列为SaRonix eCera？SQ，尺寸尺寸为0.197“L x 0.126”W（5.00mm x 3.20mm），类型为XO（标准），电源电压为2.5V。
SQA000001，带EDA/CAD模型，包括XO（标准）型，设计用于三态（输出启用）功能，数据表注释中显示了用于SaRonix eCera？SQ，提供输出功能，如HCSL，包装设计用于交替包装，以及最大40mA电流供应，其工作温度范围为-40°C~85°C。此外，电源电压为3.3V，设备频率为100MHz，设备具有±50ppm的频率稳定性。
