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BSC100N06LS3GATMA1是MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8，包括OptiMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了用于BSC100N06LS3 BSC100N06LS3GXT G SP000453664的零件别名，该设备提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及8-PowerTDFN封装盒，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商设备包为PG-TDSON-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为50W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为3500pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），50A（Tc），Rds On Max Id Vgs为10mOhm@50A，10V，Vgs th Max Id为2.2V@23μA，栅极电荷Qg Vgs为45nC@10V，Pd功耗为50W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8 ns，上升时间为58 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为50 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅-源极阈值电压为1.7 V，Rds漏极源极电阻为10 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为63S，信道模式为增强。
BSC100N10NSF G是MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有典型的开启延迟时间特性，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS 2系列，上升时间为23 ns，漏极源极电阻Rds为10 mOhms，Qg栅极电荷为44 nC，Pd功耗为156 W，部件别名为BSC100N10NSFGATMA1 BSC100N10 NSFGXT SP000379595，包装为卷筒，包装盒为TDSON-8，信道数量为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为90 A，正向跨导最小值为61 S 31 S，下降时间为7 ns，配置为单四漏三源，信道模式为增强型。
BSC100N10NS，带有INF制造的电路图。BSC100N110NS采用TDSON-8封装，是FET的一部分-单个。
具有INFINEON制造的EDA/CAD模型的BSC100N10NSFG。BSC100N10NSFG以DFN-85X6封装形式提供，是FET的一部分-单个。
