9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB45N50DM2AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB45N50DM2AG参考价格为7.05000美元。STMicroelectronics STB45N50DM2AG封装/规格：MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK。您可以下载STB45N50DM2AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STB42N65M5是MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK，包括MDmesh？V系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为190W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为650V，输入电容Cis-Vds为4650pF@100V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为33A（Tc），最大Id Vgs的Rds为79 mOhm@16.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为100nC@10V，Pd功耗为190 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为33A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为79mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为61ns，沟道模式为增强。
STB42N60M2-EP，带用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为16.5 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.5 ns，器件的漏极-源极电阻为87 mOhms，Qg栅极电荷为55 nC，Pd功耗为250 W，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为34 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB42N65M5T4，带有ST制造的电路图。STB42N65 M5T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
STB43N65M5采用ST.制造的EDA/CAD型号，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET汽车级N沟道650 V、N沟道650V 42A（Tc）250W（Tc）表面安装D2PAK、Trans MOSFET N-CH 650V 5.5A汽车级3引脚（2+Tab）D2PAK T/R、MOSFET汽车型N沟道65 V、典型值0.058欧姆、D2PAK封装中的42 A MDmesh M5功率MOSFET”。
