9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL11N4LLF5，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL11N4LLF5参考价格为1.59000美元。STMicroelectronics STL11N4LLF5封装/规格：MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT。您可以下载STL11N4LLF5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL110N10F7是MOSFET N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII，包括N沟道STripMOSFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，该设备也可以用作双双源配置。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为21 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds漏极-源极电阻为6mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为60nC。
STL11N3LLH6是MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极-源极电阻为6 mOhm，器件提供17 nC Qg栅极电荷，器件具有50 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为11A，并且配置为单一。
STL110NS3LLH7是由ST制造的“MOSFET N沟道30 V”。STL110NS 3LLH7采用PowerFLAT5x6封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N-沟道30伏、N沟道30V 120A（Tc）4W（Ta）、75W（Tc）表面安装PowerFlat”？（5x6），Trans-MOSFET N-CH 30V 110A 8引脚电源扁平EP T/R，MOSFET N沟道30 V，典型值0.0027欧姆。，28 A STripFET（TM）VII DeepGATE（TM）功率MOSFET加上PowerFLAT（TM）5x6中的单片肖特基。
