9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR826ADP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR826ADP-T1-GE3参考价格为2.66000美元。Vishay Siliconix SIR826ADP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR826ADP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SIR818DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR818DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件以单配置提供，该器件具有晶体管类型的2N信道，Pd功耗为69W，下降时间为10ns，上升时间为15ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，并且Rds导通漏极-源极电阻为2.3mOhm，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为36ns，并且典型接通延迟时间为14ns，并且Qg栅极电荷为63nC，并且正向跨导Min为104S。
SIR820DP-T1-GE3是MOSFET N沟道30-V（D-S），包括1个N沟道晶体管类型，它们设计为与N沟道三极管极性一起工作。数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了卷盘等封装功能，通道数设计为在1个通道中工作。
SIR818DP，带有VISHAY制造的电路图。SIR818DP在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
