SIR632DP-T1-RE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 69.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10.57463 | 10.57463 |
| 10+ | 9.42301 | 94.23013 |
| 100+ | 7.34792 | 734.79220 |
| 500+ | 6.07013 | 3035.06500 |
| 1000+ | 4.79226 | 4792.26500 |
| 3000+ | 4.79226 | 14376.79500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥10.57463
-
数量:
- +
- 总计: ¥10.57
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 150伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 29A（Tc）
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 7.5V, 10V
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
- 导通电阻 Rds(ON) 34.5毫欧姆 @ 10A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC@7.5 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 740 pF @ 75 V
- 最大功耗 69.5W (Tc)
- 色彩/颜色 -
SIR632DP-T1-RE3 产品详情
Vishay的SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有工业低导通电阻和低总栅极电荷。通过PowerPAK SO-8封装，它优化了互连设计，将封装电阻降低了66%。
SIR632DP-T1-RE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SIR36 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36, INDUSTRIAL RUG, 36" | ¥2,955.03077 |
 | SIR36150 | 布雷迪 (Brady) | (RUG) SIR36150, INDUSTRIAL RUG, | ¥1,665.79457 |
 | SIR1-03-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | SIR1-03-L-S-A-K-TR | ¥19.4834 |
 | SIR1-03-S-S-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥31.02858 |
 | SIR1-15-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: fifteen 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥65.91039 |
 | SIR1-10-L-S | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥53.09046 |
 | SIR1-03-L-S-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: three 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥22.88351 |
 | SIR1-10-L-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥42.53509 |
 | SIR1-10-L-S-A | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: ten 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥57.14648 |
 | SIR1-07-S-S-A-K-TR | 申泰 (Samtec) | 连接端子种类: 压缩接触，非分类 触点数量: 7 排数: one 间距: 0.100英寸（2.54毫米） 连接头表面工艺: 金 安装类别: 表面安装，直角 | ¥45.1208 |
SIR632DP-T1-RE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SIR632DP-T1-RE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIR632DP-T1-RE3价格参考￥10.574634，你可以下载 SIR632DP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIR632DP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
