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FDFS2P106A

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.74750 12.74750
10+ 11.36411 113.64110
100+ 8.86024 886.02400
500+ 7.31909 3659.54750
1000+ 6.12836 6128.36300
2500+ 6.12836 15320.90750
  • 库存: 0
  • 单价: ¥12.74750
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.75
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 8-SOIC
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 最大功耗 900mW (Ta)
  • 场效应管特性 肖特基二极管(隔离)
  • 导通电阻 Rds(ON) 110欧姆@3A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 714 pF @ 30 V
  • 色彩/颜色 -

FDFS2P106A 产品详情

FDFS2P106A将PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与SO-8封装中的极低正向压降肖特基势垒整流器相结合。该设备专门设计为DC-DC转换器的单封装解决方案。它具有快速切换、低栅极电荷MOSFET和极低的导通电阻。独立连接的肖特基二极管允许在各种DC/DC转换器拓扑中使用。

特色

  • -3.0A,-60伏
  • RDS(开启)=110 mΩ@VGS=-10 V
  • RDS(开启)=140 mΩ@VGS=-4.5 V
  • VF<0.53 V@1 A
  • VF<0.45 V@1 A(TJ=125°C)
  • VF<0.62 V@2 A
  • 肖特基和MOSFET集成到单功率表面安装SO-8封装中
  • 电气独立的肖特基和MOSFET引脚,设计灵活

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDFS2P106A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDFS2P106A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDFS2P106A价格参考¥12.747504,你可以下载 FDFS2P106A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDFS2P106A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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