9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB86569-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB86569-F085参考价格1.62000美元。onsemi FDB86569-F085封装/规格：MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK。您可以下载FDB86569-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB86366_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-263-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可作为单配置使用。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供176 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17 ns，上升时间为76 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为110 A，Vds漏极-源极击穿电压为80V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为7mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为86nC，沟道模式为增强。
FDB86363_F085和用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅极-源电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于80 V，提供单位重量功能，如0.046296 oz，典型开启延迟时间设计为38 ns，以及64 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为129 ns，漏极-源极电阻Rds为2 mOhms，Qg栅极电荷为131 nC，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-263-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为110 A，下降时间为40 ns，配置为单一。
FDB86363，电路图由FSC制造。FDB86363在TO-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
