特色
- 低RDS（开启）以最小化传导损耗
- 低电容使驱动器损耗最小化
- 优化栅极电荷以最小化开关损耗
- 符合RoHS
应用
- 电源负载开关
- DC-DC转换器
- 笔记本电脑电池管理
NTTFS4C08NTAG
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta) 最大功耗: 820mW (Ta), 25.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.18447 | 8.18447 |
| 10+ | 7.28635 | 72.86357 |
| 100+ | 5.68060 | 568.06060 |
| 500+ | 4.69267 | 2346.33750 |
| 1500+ | 3.92927 | 5893.90950 |
- 库存: 0
- 单价: ¥4.63546
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.18
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 供应商设备包装 8-WDFN (3.3x3.3)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18.2 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9.3A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 5.9毫欧姆 @ 30A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1113 pF@15 V
- 最大功耗 820mW (Ta), 25.5W (Tc)
- 色彩/颜色 -
NTTFS4C08NTAG 产品详情
功率MOSFET30V，52A，单N沟道，µ8FL
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
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| NTT501ADNLT | NTT501ADNLT | ¥0.00 | |
| NTT501ADNL | NTT501ADNL | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-C | Ciena NTTP81DA Compatible TAA Co | ¥0.00 | |
| NTTP07FFE6-I-C | Ciena NTTP07FFE6-I Compatible TA | ¥0.00 | |
| NTTP84AAE6-C | Ciena NTTP84AAE6 Compatible TAA | ¥0.00 | |
| NTTP58BD-C | Ciena NTTP58BD Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP51BD-IO | SFP 1G LX CIENA | ¥0.00 | |
| NTTP84HH-C | Ciena NTTP84HH Compatible TAA 10 | ¥0.00 | |
| NTTP81DA-IO | XFP 10G ER CIENA | ¥0.00 |
NTTFS4C08NTAG所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTTFS4C08NTAG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTTFS4C08NTAG价格参考￥4.635456，你可以下载 NTTFS4C08NTAG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTTFS4C08NTAG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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