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NTB082N65S3F

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 313W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 50.91758 50.91758
10+ 45.74615 457.46156
100+ 37.48345 3748.34560
800+ 31.90924 25527.39840
1600+ 30.58119 48929.90400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥50.91759
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥50.92
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 81 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 82毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3410 pF @ 400 V
  • 最大功耗 313W (Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

NTB082N65S3F 产品详情

NTB0102GD-Q100H是一款2位双电源转换收发器,具有自动方向感测功能,可实现双向电压电平转换。它具有两个2位输入输出端口(A和Bn)、一个输出启用输入(OE)和两个电源引脚(VCC(A)和VCC(B))。VCC(A)可以在1.2V和3.6V之间的任何电压下提供,VCC(B)可以在1.65V和5.5V之间的任意电压下提供。这使得该器件适合于在任何低电压节点(1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V和5.0V)之间转换。

引脚A和OE参考VCC(A),引脚Bn参考VCC(B)。引脚OE处的低电平导致输出呈现高阻抗OFF状态。该设备完全指定用于使用IOFF的部分断电应用。IOFF电路禁用输出,防止设备断电时通过设备的有害回流电流。

特色

  • 宽电源电压范围:
    • VCC(A):1.2 V至3.6 V,VCC(B):1.65 V至5.5 V
  • IOFF电路提供部分断电模式操作
  • 输入可接受高达5.5 V的电压
  • ESD保护:
    • HBM JESD22-A114E 2级A端口电压超过2500 V
    • HBM JESD22-A114E 3B级B端口超过15000 V
    • MM JESD22-A115-A超过200 V
    • CDM JESD22-C101E超过1500 V
  • 根据JESD 78B II级,锁存性能超过100 mA
  • 多个软件包选项
  • 规定范围为-40℃至+85℃和-40℃至+125℃


NTB082N65S3F所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTB082N65S3F 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTB082N65S3F价格参考¥50.917587,你可以下载 NTB082N65S3F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTB082N65S3F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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