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IPL60R085P7AUMA1
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IPL60R085P7AUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 154W（Tc） 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 53.16288 53.16288
10+ 48.02767 480.27670
100+ 39.75990 3975.99000
500+ 37.22850 18614.25300
3000+ 37.22850 111685.51800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥18.75911
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥53.16
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 39A (Tc)
  • 包装/外壳 4-PowerTSFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 51 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 590A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2180 pF@400 V
  • 供应商设备包装 PG-VSON-4
  • 最大功耗 154W（Tc）
  • 导通电阻 Rds(ON) 85毫欧姆 @ 11.8A, 10V

IPL60R085P7AUMA1 产品详情

英飞凌科技CoolMOS™ P7 MOSFET提供了一流的性价比和卓越的易用性，以应对各种应用中的挑战。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET已开发用于基于回扫的低功率SMPS应用，包括适配器和充电器、照明、音频SMPS、AUX和工业电源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不仅适用于低功率，也适用于高功率SMPS应用，如太阳能逆变器、服务器、远程通信和电动汽车充电站。P7 MOSFET针对硬开关和软开关拓扑进行了充分优化。

特色

  • 600V P7可实现卓越的FOM R DS（on）xE oss和R DS（on）xQ G
  • ESD强度≥2kV（HBM 2级）
  • 集成栅极电阻器R G
  • 坚固的体二极管
  • 广泛的通孔和表面安装组件组合
  • 可提供标准级和工业级零件
  • 卓越的FOMs R DS（on）xQ G/R DS（on）xE oss可实现更高的效率
  • 通过停止发生ESD故障，在制造环境中易于使用
  • 集成RG降低MOSFET振荡灵敏度
  • MOSFET适用于硬开关和谐振开关拓扑，如PFC和LLC
  • LLC拓扑结构中所见的体二极管在硬换向期间具有优异的耐用性
  • 适用于各种终端应用和输出功率
  • 适用于消费和工业应用的零件

应用

  • 电视电源
  • 工业SMPS
  • 服务器
  • 电信
  • 照明

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IPL60R285P7AUMA1IPL60R285P7AUMA1英飞凌 (Infineon)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 59W (Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ）¥11.18304
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IPL60R085P7AUMA1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IPL60R085P7AUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IPL60R085P7AUMA1价格参考￥18.759111，你可以下载 IPL60R085P7AUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IPL60R085P7AUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！

英飞凌 (Infineon)

英飞凌 (Infineon)

1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

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