SQSA80ENW-T1_GE3

Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
SKU: 7138146-SQSA80ENW-T1_GE3
Price: 4.201606 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Tc）最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
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数量	单价	合计
1+	4.20160	4.20160
100+	3.83584	383.58400
1000+	3.69025	3690.25800

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单价: ¥4.20161
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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
制造厂商威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
漏源电压标 (Vdss) 80 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
漏源电流 (Id) @ 温度 18A（Tc）
供应商设备包装 PowerPAK1212-8
包装/外壳 PowerPAK1212-8
最大功耗 62.5W (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@10A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1358 pF@40 V
色彩/颜色 -

SQSA80ENW-T1_GE3 产品详情

N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体

这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。

SQ坚固系列MOSFET的优点

•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项

批准

AEC-Q101型

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型号	制造商	描述	价格
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SQS16A51R0JSLF	TT 电子 (TT /BI)	电阻器数量: 8 电阻 (Ohms): 51 公差: ±5% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 16-QSOP，16-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度	¥16.68764
SQS20B1501GSLF	TT 电子 (TT /BI)	电阻器数量: nineteen 电阻 (Ohms): 1.5k 公差: ±2% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 20-QSOP, 20-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度	¥7.80785
SQS24B1002GSLF	TT 电子 (TT /BI)	电阻器数量: twenty-three 电阻 (Ohms): 10k 公差: ±2% 每个元件的功率: 100mW 供应商设备包装: 24-QSOP, 24-SSOP 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度	¥2.07147
SQSC-02H-1A-Y		暂无	¥0.75386
SQS-A03GF-P-P	日本科学技术协会 (JST)		¥1.09658
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SQSKR-02H-1A-K	日本科学技术协会 (JST)		¥0.66852
SQSR-02H-1A-K	日本科学技术协会 (JST)		¥0.70329
SQSR-02H-1C-D	日本科学技术协会 (JST)		¥1.1241

SQSA80ENW-T1_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQSA80ENW-T1_GE3 由威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQSA80ENW-T1_GE3价格参考￥4.201606，你可以下载 SQSA80ENW-T1_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQSA80ENW-T1_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！