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TPHR8504PL,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 1W(Ta),170W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
5000+ 4.73537 23676.86000
  • 库存: 25000
  • 单价: ¥4.73537
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.74
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 103 nC@10 V
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 150A(Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@1毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.85欧姆@50A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9600 pF@20 V
  • 最大功耗 1W(Ta),170W(Tc)

TPHR8504PL,L1Q 产品详情

东芝U-MOSIX-H低压N沟道增强型MOSFET是专门设计用于AC-DC电源二次侧的高效MOSFET。这包括笔记本电脑适配器、游戏机、服务器、台式电脑、平板显示器。它还包括用于通信设备、服务器和数据中心的DC-DC电源。它们具有高速开关、小栅极电荷和低漏极-源极导通电阻。这些MOSFET采用最新的第8代和第9代沟槽MOS工艺制造。U-MOSIX-H低压MOSFET将有助于提高电源的效率。

特色

  • 装配底座:2.4 V
  • 装配底座:1.4 mΩ
  • 装配底座:0.85 mΩ
  • 装配底座:7370 pF
  • 组件底座:103 nC

应用

高效DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
TPHR8504PL,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPHR8504PL,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPHR8504PL,L1Q价格参考¥4.735372,你可以下载 TPHR8504PL,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPHR8504PL,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

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