9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y21-40EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y21-40EX参考价格为0.65000美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y21-40EX封装/规格：MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56。您可以下载BUK7Y21-40EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y153-100EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y53-100E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供37.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.5 ns，上升时间为4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为104mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为7.8ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为9.4nC，沟道模式为增强。
BUK7Y15-60EX是MOSFET N沟道60 V 15 mo FET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为17.8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为9.6mOhm，Qg栅极电荷为25.41nC，Pd功耗为94W，零件别名为BUK7Y15-60E115，封装为卷轴，封装盒为LFPAK-4，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为53 A，下降时间为10.9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
BUK7Y19-100EX带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
