9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN059-150Y，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN059-150Y，115参考价格$1.52000。Nexperia USA Inc.PSMN059-150Y，115封装/规格：MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56。您可以下载PSMN059-150Y，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
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PSMN045-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道，金属氧化物FET型，该器件也可以用作56W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为80V，该器件提供675pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为24A（Tc），最大Id Vgs的Rds为45mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为12.5nC@10V。
带有PHILIPS制造的用户指南的PSMN057-200B。PSMN057-200B采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
PSMN057-200P是NXP制造的MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB。PSMN057-200P采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB。
PSMN059-150Y，带有NEXPERI制造的EDA/CAD模型。PSMN059-150Y在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
