特色
- rDS（ON）=14mΩ（典型值），VGS=10V，ID=8.9A
- Qg（tot）=31nC（典型值），VGS=10V
- 低米勒电荷
- 低QRR体二极管
- 在高频下优化效率
- UIS能力（单脉冲和重复脉冲）以前开发的82663型
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
- 隔离DC/DC转换器中的主开关
- 分布式电源体系结构和中间总线体系结构
- 高压同步整流器
FDS3572
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.89236 | 12.89236 |
| 10+ | 11.50896 | 115.08968 |
| 100+ | 8.97178 | 897.17800 |
| 500+ | 7.41137 | 3705.68500 |
| 1000+ | 6.20571 | 6205.71700 |
| 2500+ | 6.20571 | 15514.29250 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.89236
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.89
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 漏源电压标 (Vdss) 80 V
- 最大功耗 2.5W（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 41 nC @ 10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.9A (Ta)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1990 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@8.9A，10V
- 色彩/颜色 -
FDS3572 产品详情
N沟道PowerTrench®MOSFET 80 V，8.9 A，16 mΩ
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDST012RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 12F OFNR | ¥23.39457 |
| FDSY008RF | 百通 (Belden) | FD OS2 TO_CPE 8F OFNR | ¥24.481 |
| FDST036RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 36F OFNR | ¥39.03923 |
| FDSM006P2 | 百通 (Belden) | FD MD_LT OS2 6F OFNP NON_UNI | ¥2.35438 |
| FDSB006LB | 百通 (Belden) | FD BO OS2 6F LSZH SU_2.0 | ¥17.02082 |
| FDST004RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 4F OFNR | ¥17.2381 |
| FDST024RF | 百通 (Belden) | FD TO_PVC OS2 24F OFNR | ¥31.14447 |
FDS3572所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDS3572 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDS3572价格参考￥12.892362，你可以下载 FDS3572中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDS3572规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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