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IPL60R104C7AUMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 122W(Tc) 供应商设备包装: PG-VSON-4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 29.39675 29.39675
  • 库存: 10
  • 单价: ¥29.39676
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    - +
  • 总计: ¥29.40
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 20A(Tc)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 42 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 4-PowerTSFN
  • 供应商设备包装 PG-VSON-4
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 490A
  • 导通电阻 Rds(ON) 104毫欧姆@9.7A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1819 pF@400 V
  • 最大功耗 122W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

IPL60R104C7AUMA1 产品详情

描述

CoolMOS™ CP系列提供的器件提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时不牺牲易用性。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更轻和更冷。

特色
•减少了电路板空间消耗
•提高功率密度
•短换向回路
•平滑切换波形
•易于使用的产品
•由于FOM Rdson*Qg和Eoss非常低,损失非常低
•根据JEDEC1认证)用于目标应用程序(服务器、适配器)
•无铅电镀,无卤素

IPL60R104C7AUMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPL60R104C7AUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPL60R104C7AUMA1价格参考¥29.396758,你可以下载 IPL60R104C7AUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPL60R104C7AUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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