英飞凌的光学MOS™2.N-Channel系列在其电压组中提供了业界最低的导通电阻。功率MOSFET系列可用于许多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低压驱动器和服务器电源。这个OptiMOS 2产品系列的电压范围为20V及以上,并提供多种不同的封装类型。
BSC252N10NSFGATMA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta), 40A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 4.56737 | 4.56737 |
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 最大功耗 78W (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 PG-TDSON-8-1
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta), 40A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 25.2毫欧姆@20A,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 43A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@50 V
- 色彩/颜色 -
BSC252N10NSFGATMA1 产品详情
英飞凌OptiMOS™2功率MOSFET系列
BSC252N10NSFGATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC252N10NSFGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC252N10NSFGATMA1价格参考¥4.567373,你可以下载 BSC252N10NSFGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC252N10NSFGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。