久芯网

BSC252N10NSFGATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta), 40A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.56737 4.56737
  • 库存: 5
  • 单价: ¥4.56737
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.57
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 78W (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 PG-TDSON-8-1
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.2A (Ta), 40A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 25.2毫欧姆@20A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 43A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1100 pF@50 V
  • 色彩/颜色 -

BSC252N10NSFGATMA1 产品详情

英飞凌OptiMOS™2功率MOSFET系列

英飞凌的光学MOS™2.N-Channel系列在其电压组中提供了业界最低的导通电阻。功率MOSFET系列可用于许多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低压驱动器和服务器电源。这个OptiMOS 2产品系列的电压范围为20V及以上,并提供多种不同的封装类型。

BSC252N10NSFGATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BSC252N10NSFGATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSC252N10NSFGATMA1价格参考¥4.567373,你可以下载 BSC252N10NSFGATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSC252N10NSFGATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部