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IPD70N10S3L-12是MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3，包括OptiMOS-T系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPD70N1 0S3L12TMA1 IPD70N3L12XT SP000261250，其提供单位重量功能，如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为35ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
IPD70N10S3-12是MOSFET N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T系列，上升时间为8 ns，漏极源极电阻Rds为11.1 mOhms，Pd功耗为125 W，零件别名为IPD70N10S312ATMA1 IPD70N20S312XT SP000427248，包装为卷筒，包装箱为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD70P04P4-09是MOSFET P-Ch-40V-73A DPAK-2 OptiMOS-P2，包括-73 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行，数据表说明中显示了用于to-252-3的封装情况，该to-252-3提供了卷盘、零件别名等封装功能，该器件还可以用作OptiMOS-P2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有晶体管极性的P沟道，晶体管类型为1个P沟道、单位重量为0.13932盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V。
IPD70N10S2-12，带有由infineon制造的EDA/CAD模型。IPD70N10S2-12采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
