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IPT020N10N5ATMA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Ta), 260A (Tc) 最大功耗: 273W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 53.38017 53.38017
10+ 48.24495 482.44957
100+ 39.94459 3994.45940
500+ 39.02764 19513.82100
2000+ 39.02764 78055.28400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥51.71431
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥53.38
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 152 nC@10 V
  • 包装/外壳 8-PowerSFN
  • 供应商设备包装 PG-HSOF-8-1
  • 导通电阻 Rds(ON) 2欧姆@150A,10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 31A (Ta), 260A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.8V @ 202A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11000 pF@50 V
  • 最大功耗 273W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

IPT020N10N5ATMA1 产品详情

英飞凌的TO无导线封装针对叉车、轻型电动车(LEV)、POL(负载点)和电信等高电流应用进行了优化。该封装是高功率应用的完美解决方案,在高功率应用中需要最高的效率、出色的EMI性能以及最佳的热性能和空间缩减。

特色

  • 行业最低R DS(开启)
  • 最高电流能力>480A
  • 非常低的封装寄生和电感
  • 需要更少的并联和冷却
  • 最高的系统可靠性
  • 降低系统成本
  • 实现非常紧凑的设计

应用

  • 叉车
  • 轻型电动汽车(LEV),例如电动滑板车、电动自行车或µ-汽车
  • 负载点(POL)
  • 电信
  • efuse公司
IPT020N10N5ATMA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPT020N10N5ATMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPT020N10N5ATMA1价格参考¥51.714306,你可以下载 IPT020N10N5ATMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPT020N10N5ATMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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