9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7469DP-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7469DP-T1-E3价格参考2.79000美元。Vishay Siliconix SI7469DP-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8。您可以下载SI7469DP-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7465DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI7465DP-GE3中使用的零件别名，SI7465DP GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 P沟道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为64mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9纳秒，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds导通漏极-漏极电阻为64毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65 ns，并且典型的开启延迟时间是8ns，并且信道模式是增强。
SI7465DP-T1-E3...和用户指南SI7465DP-T1-E3..在QFN8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI7469DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7469DP采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
