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TK33S10N1Z,LQ

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK+ 工作温度: 175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.95078 11.95078
10+ 10.69052 106.90520
100+ 8.33802 833.80260
500+ 6.88770 3443.85400
1000+ 5.43760 5437.60700
2000+ 5.07510 10150.20000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.95079
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.95
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 最大功耗 125W(Tc)
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 工作温度 175摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 33A (Ta)
  • 供应商设备包装 DPAK+
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 500A
  • 导通电阻 Rds(ON) 9.7毫欧姆 @ 16.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2050 pF@10 V
  • 色彩/颜色 -

TK33S10N1Z,LQ 产品详情

  • 应用范围:汽车/开关稳压器/电机驱动器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅧ-H
  • 内部连接:单个
  • AEC-Q101:合格
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:日本

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:9.7 mΩ
  • 装配底座:2050 pF
  • 装配底座:28 nC

应用

汽车/开关稳压器/电机驱动器
TK33S10N1Z,LQ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK33S10N1Z,LQ 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK33S10N1Z,LQ价格参考¥11.950785,你可以下载 TK33S10N1Z,LQ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK33S10N1Z,LQ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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