英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司(开)和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性,非常适合于工业低频应用,包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理,其中性能和耐用性至关重要。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 正常电平:针对10 V栅极驱动电压进行了优化
- 行业标准表面安装电源组件
- 与D2PAK(相同模具尺寸)相比,电流额定值更高(增加23%)
- 高载流能力封装(高达240 A,取决于管芯尺寸)
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 55.91518 | 55.91518 |
10+ | 50.51922 | 505.19228 |
100+ | 41.82702 | 4182.70230 |
800+ | 39.16380 | 31331.04720 |
温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。
英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司(开)和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性,非常适合于工业低频应用,包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理,其中性能和耐用性至关重要。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。