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IRF135SA204

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 135伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 55.91518 55.91518
10+ 50.51922 505.19228
100+ 41.82702 4182.70230
800+ 39.16380 31331.04720
  • 库存: 1
  • 单价: ¥54.17689
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥55.92
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 160A(Tc)
  • 最大功耗 500W (Tc)
  • 供应商设备包装 D2PAK-7
  • 漏源电压标 (Vdss) 135伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.9毫欧姆 @ 96A, 10V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 315 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11690 pF@50 V
  • 包装/外壳 到263-7,DPak(6导联+选项卡)变体
  • 色彩/颜色 -

IRF135SA204 产品详情

强IRFET™ 功率MOSFET,英飞凌

英飞凌的强IRFET该系列针对低R进行了优化DS公司(开)和高电流能力。该产品组合提供了改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性,非常适合于工业低频应用,包括电机驱动、电动工具、逆变器和电池管理,其中性能和耐用性至关重要。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 正常电平:针对10 V栅极驱动电压进行了优化
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 与D2PAK(相同模具尺寸)相比,电流额定值更高(增加23%)
  • 高载流能力封装(高达240 A,取决于管芯尺寸)
IRF135SA204所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF135SA204 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF135SA204价格参考¥54.176892,你可以下载 IRF135SA204中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF135SA204规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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