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CSD17484F4T是MOSFET N-CH 30V 1.5A 3PICOSTAR，包括FemtoFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供FemtoFET等商标功能，包装箱设计为在3-XFDFN和Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的3-PICOSTAR，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为500mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为195pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为121 mOhm@500mA，8V，Vgs的最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.2nC@8V，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为1ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为650mV，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为920pC，正向跨导Min为4S，信道模式为增强。
CSD17501Q5A是TI制造的MOSFET N-CH 30V 100A 8SON。CSD17501Q 5A采用8-PowerTDFN封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH30V 100B 8SON、N沟道30V 100C（Tc）3.2W（Ta）表面安装8-VSON（5x6）、Trans MOSFET N-CH20V 28A 8-Pin SON EP T/R、MOSFET 30V、NCh NexFET Pwr MOSFET。
CSD17505Q5A是“由TI/BB制造的MOSFET 30V。CSD17505Q 5A可在SON8封装中获得，是IC芯片的一部分，并支持”MOSFET 30V、N沟道30V 24A（Ta）、100A（Tc）3.2W（Ta）表面安装8-VSON（5x6）、Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin VSONP EP T/R、MOSFET 30伏、NCh NexFET功率MOSFET。
