9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4447ADY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4447ADY-T1-GE3参考价格为0.62000美元。Vishay Siliconix SI4447ADY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO。您可以下载SI4447ADY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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Si4447ADY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC，包括Si4447ADY系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为4.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为7.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.2V至-2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为45mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为11.8nC，并且前向跨导Min为14S，并且信道模式为增强。
SI4442DY-T1-E3..，带有VISHAY制造的用户指南。SOP-8中提供了SI4442DY-T1-E3。封装，是IC芯片的一部分。
SI4446DY-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC。SI4446DY-T1-E3采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC、N沟道40V 3.9B（Ta）1.1W（Ta）表面安装8-SO、Trans MOSFET N-CH40V 3.9C 8-Pin SOIC N T/R。
SI4447ADY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4447ADY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
