9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN013-80YS，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN013-80YS，115参考价格1.16000美元。Nexperia USA Inc.PSMN013-80YS，115封装/规格：MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK56。您可以下载PSMN013-80YS，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如PSMN013-80YS，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN013-100YSEX是MOSFET N沟道100 V 13 mo FET，包括卷盘封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于LFPAK-4的封装盒，该LFPAK-3提供Si等技术特性，信道数设计为在1个信道中工作，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为238 W，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为58 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极-源极电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为42ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为75nC，沟道模式为增强。
PSMN013-30MLC，115是MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK3供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于13.6 mOhm@10A，10V，提供功率最大特性，如38W，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及SOT-1210，8-LFPAK33（5铅）封装外壳，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供519pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有8nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为39A（Tc）。
PSMN013-80YS，带有NXP制造的电路图。PSMN013-80YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
