9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7469DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7469DP-T1-GE3价格参考2.79000美元。Vishay Siliconix SI7469DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8。您可以下载SI7469DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如SI7469DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如SI7469DP-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SI7469DP-T1-E3是MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7469DP-E3的零件别名，SI7469DPE-E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为83W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为80V，输入电容Cis-Vds为4700pF@40V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为28A（Tc），最大Id Vgs的Rds为25mOhm@10.2A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为160nC@10V，Pd功耗为83W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为110纳秒，上升时间为220纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为28 A，Vds漏极-源极击穿电压为-80 V，Rds漏极源极电阻为25毫欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为45ns，正向跨导最小值为52S，信道模式为增强。
SI7465DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.017870盎司，典型开启延迟时间设计为8 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为9 ns，Rds On Max Id Vgs为64 mOhm@5A，10V，Rds On漏极-源极电阻为64 mOhm，功率最大值为1.5W，Pd功耗为1.5 W，零件别名为SI7465DP-GE3，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为3.2A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@110V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为9ns，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.2A（Ta），配置为单一，沟道模式为增强型。
SI7469DP，带有VISHAY制造的电路图。SI7469DP采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
